Wszystkie pola: Jakieła, Rafał

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Jakieła, Rafał" wg kryterium: Wszystkie pola

Wyświetlanie 1-14 z 14

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Epitaksja movpe azotków III grupy układu okresowego : główne problemy technologiczne
Współwytwórcy:: Jakieła, Rafał
Jasik, Agata
Strupiński, Włodzimierz
Dumiszewska, Ewa
Lenkiewicz, Dariusz
Data publikacji:: 2003
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Problemy epitaksji antymonków grupy III-V
Współwytwórcy:: Jakieła, Rafał
Kubacka-Traczyk, Justyna
Kaniewski, Janusz
Sankowska, Iwona
Jasik, Agata
Regiński, Kazimierz
Data publikacji:: 2010
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Influence of the thermal annealing on hydrogen concentration in GaN layers – SIMS characterization
Współwytwórcy:: Jakieła, Rafał
Wesołowski, Marek
Jasik, Agata
Strupiński, Włodzimierz
Góra, Krzysztof
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Kosiel, Kamil.
Data publikacji:: 2002
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Structural and electrical properties if SiC grown by PVT method in the presence of the cerium vapor
Współwytwórcy:: Avdonin, Andrei
Jakieła, Rafał
Tymicki, Emil
Grasza, Krzysztof
Racka-Szmidt, Katarzyna
Dobrowolski, Witold D.
Pisarek, Marcin
Tematy:: Fizyka; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Niekonwencjonalne metody modyfikacji powierzchniowej stopów aluminium
Autorzy:: Tacikowski, Michał
Współwytwórcy:: Jakieła, Rafał
Instytut Mechaniki Precyzyjnej
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Betiuk, Marek
Politechnika Warszawska. Wydział Inżynierii Materiałowej
Instytut Fizyki PAN
Data publikacji:: 2005
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Problems with creaking of AlxGa1-xN layers
Współwytwórcy:: Jakieła, Rafał
Wesołowski, Marek
Jasik, Agata
Strupiński, Włodzimierz
Dumiszewska, Ewa
Lenkiewicz, Dariusz
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Politechnika Warszawska
Instytut Fizyki PAN
Data publikacji:: 2005
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Response of ZnO/GaN heterostructure to ion irradiation
Współwytwórcy:: Jakieła, Rafał
Ratajczak, Jacek (elektronik)
Kozubal, Michał
Borysiewicz, Michał
Guziewicz, Elżbieta
Snigurenko, Dymitr
Dynowska, Elżbieta (fizyk)
Pągowska, Karolina Danuta
Barcz, Adam
Dyczewski, J.
Tematy:: Tlenek cynku
Dyfraktometr rentgenowski - stosowanie
Azotek galu
Chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD)
Półprzewodniki - fizyka
Mikroskop elektronowy - stosowanie
Implantacja jonów
Spektroskopia rozpraszania wstecznego Rutherforda
Aluminium - związki - fizyka
Ciało stałe - fizyka
Spektrometria mas jonów wtórnych; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2015
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Cienkie warstwy ZnO wytwarzane techniką magnetronowego rozpylania katodowego : mikrostruktura i funkcjonalność
Współwytwórcy:: Dynowska, Elżbieta
Piotrowska, Anna
Jakieła, Rafał
Pustelny, Tadeusz (1950- )
Gołaszewska, Krystyna
Borysiewicz, Michał
Kamińska, Eliana
Struk, Przemysław
Wzorek, Marek
Wojciechowski, Tomasz
Wojtowicz, Tomasz
Data publikacji:: 2014
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Wyznaczanie parametrów optycznych epitaksjalnych heterostruktur laserowych
Współwytwórcy:: Maląg, Andrzej
Piątkowska, Anna
Jakieła, Rafał
Wnuk, Artur
Dąbrowska, Elżbieta
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Politechnika Warszawska. Wydział Fizyki
Sobczak, Grzegorz
Teodorczyk, Marian
Instytut Fizyki PAN
Data publikacji:: 2011
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Optical and electrical characterization of defects in zinc oxide thin films grown by atomic layer deposition
Współwytwórcy:: Uniwersytet Kardynała Stefana Wyszyńskiego w Warszawie. Wydział Matematyczno-Przyrodniczy. Szkoła Nauk Ścisłych
Witkowski, Bartłomiej
Jakieła, Rafał
Krajewski, Tomasz A.
Godlewski, Marek
Wachnicki, Łukasz
Guziewicz, Elżbieta
Łuka, Grzegorz
Instytut Fizyki PAN
Data publikacji:: 2009
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Low resistance ohmic contacts to n-GaAs for application in GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers
Współwytwórcy:: Bugajski, Maciej
Jakieła, Rafał
Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Tłaczała, Marek
Macherzyński, Wojciech
Barańska, Anna
Instytut Technologii Elektronowej
Szerling, Anna
Karbownik, Piotr
Instytut Fizyki PAN
Papis, Ewa
Kosiel, Kamil.
Data publikacji:: 2009
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Thin films of ZnO and ZnMnO by atomic layer epitaxy
Współwytwórcy:: Kopalko, Krzysztof
Kiecana, Michał
Uniwersytet Kardynała Stefana Wyszyńskiego w Warszawie. Wydział Matematyczno-Przyrodniczy. Szkoła Nauk Ścisłych
Jakieła, Rafał
Minikayev, Roman
Dybko, Krzysztof
Świątek, Krzysztof
Godlewski, Marek
Paszkowicz, Wojciech
Guziewicz, Elżbieta
Klepka, Marcin
Wójcik, Aleksandra
Instytut Fizyki PAN
Łusakowska, Elżbieta
Sawicki, Maciej
Data publikacji:: 2005
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: Investigation of Co ions diffusion in Gd₃Ga₅O₁₂ single crystals
Współwytwórcy:: Vakiv, Mikola Mihajlovič. Autor
Sugak, Dmytro Ûrijovič. Autor
Burij, Oleg Anatolìjovič (1971- ). Autor
Âhnevič, Ulâna Volodimirìvna. Autor
Jakieła, Rafał. Autor
Ubìzskij, Sergìj Borisovič. Autor
Pieniążek, Agnieszka. Autor
Židačevskij, Âroslav Antonovič. Autor
Sivorotka, Ìgor Ìgorovič. Autor
Suchocki, Andrzej (fizyk). Autor
Włodarczyk, Damian. Autor
Tematy:: Kobalt
Fizykochemiczne metody badawcze
Budowa wewnętrzna substancji
Granat (minerał)
Dyfuzja
Jony; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2018
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Zastosowanie technologii MOCVD w dziedzinie laserów antymonkowych z heterozłączem I-go rodzaju
Współwytwórcy:: Jóźwik, Iwona
Sęk, Grzegorz
Jakieła, Rafał
Jasik, Agata
Wesołowski, Marek
Instytut Fizyki PAN
Pruszyńska-Karbownik, Emilia
Motyka, Marcin
Pierścińska, Dorota
Kościkiewicz, Kinga
Mirkowska, Aleksandra
Instytut Technologii Elektronowej
Pierściński, Kamil.
Piątkowska, Anna
Wójcik-Jedlińska, Anna
Caban, Piotr
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Politechnika Wrocławska
Bugajski, Maciej
Strupiński, Włodek
Data publikacji:: 2011
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-14 z 14

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Prześlij opinię

Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.

Formularz

Informacja

Wyszukujesz frazę "Jakieła, Rafał" wg kryterium: Wszystkie pola

Źródło danych

Dostawca treści

Rok wydania

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język