Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Structural and electrical properties if SiC grown by PVT method in the presence of the cerium vapor

Tytuł:: Structural and electrical properties if SiC grown by PVT method in the presence of the cerium vapor
Współwytwórcy:: Avdonin, Andrei
Jakieła, Rafał
Tymicki, Emil
Grasza, Krzysztof
Racka-Szmidt, Katarzyna
Dobrowolski, Witold D.
Pisarek, Marcin
Tematy:: Fizyka
Data publikacji:: 2013
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-f/
Publikacja udostępniona za zgodą wydawcy. Całość ani żadna z jej części nie może być przetwarzana ani wykorzystywana w celach komercyjnych
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Materiały z 42nd "Jaszowiec" International School and Conference on the Physics of Semiconductors, Wisła, 22-27 czerwca 2013 r.

ŚREDNIA OCEN

0,0 / 5

LICZBA OCEN:0

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Prześlij opinię

Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.

Formularz

Informacja

Structural and electrical properties if SiC grown by PVT method in the presence of the cerium vapor