- Tytuł:
- Two-Dimensional Analytical Threshold Voltage Modelling of Pseudomorphic $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ p-Channel MOSFETs
- Autorzy:
- Ansaripour, G.
- Tematy:
- 73.23.-b
- Pokaż więcej
- Data publikacji:
- 2011-12
- Wydawca:
- Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł