- Назва:
- Doping Properties of Amphoteric C, Si, and Ge Impurities in GaN and AlN
- Автори:
-
Boguslawski, P.
Bernholc, J. - Теми:
- 71.55.-i
- Показати більше
- Дата публікації:
- 1996-10
- Видавець:
- Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
- Постачальник контенту:
- Biblioteka Nauki
статті