Autor: Kociubiński, A. - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Kociubiński, A." wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-8 z 8

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Modeling, Simulation and Characterization of Aluminum Implantation in 4H-SiC for Large-Area Photodiode Technology
Autorzy:: Kociubiński, A.
Tematy:: 85.30.De
85.30.Kk; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2017-08
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Design, Modeling and Simulation of MEMS Devices on Si, SiC, and Diamond for Harsh Environment Applications
Autorzy:: Kociubiński, A.
Bieniek, T.
Janczyk, G.
Tematy:: 07.05.Tp
07.07.Df
62.20.-x
62.25.Fg; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2014-06
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Modeling, Simulation and Calibration of Silicon Wet Etching
Autorzy:: Kociubiński, A.
Duk, M.
Bieniek, T.
Janus, P.
Tematy:: anisotropic wet etching
KOH
silicon technology; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Semi-automatic test system for characterization of ASIC/MPWS
Autorzy:: Zając, J.
Wójcik, J.
Kociubiński, A.
Tomaszewski, D.
Tematy:: automatic testing
diagnostics of technology
multi-project wafers; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Nichrome Capacitors on Polycarbonate Substrate for Monitoring Cell Culture Using Impedance Sensing Technique
Autorzy:: Kociubiński, A.
Zarzeczny, D.
Prendecka, M.
Pigoń, D.
Małecka-Massalska, T.
Tematy:: bioimpedance
ecis
sputtering
nichrome
fibroblast; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: A versatile tool for extraction of MOSFETs parameters
Autorzy:: Tomaszewski, D.
Kociubiński, A.
Marczewski, J.
Kucharski, K.
Domański, K.
Grabiec, P.
Tematy:: MOSFETs parameters
SPICE
least squares method; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Multi-Domain Modeling and Simulations of the Heterogeneous Systems
Autorzy:: Pieniek, T.
Janczyk, G.
Janusz, P.
Szynka, J.
Grabiec, P.
Kociubiński, A.
Ekwińska, M.
Tomaszewski, D.
Malinowski, A.
Tematy:: Corona
Coventor
3D integration
e-Cubes
heterogeneous systems
MATLAB
modeling
simulation; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: TSSOI as an efficient tool for diagnostics of SOI technology in Institute of Electron Technology
Autorzy:: Barański, M.
Domański, K.
Grabiec, P.
Grodner, M.
Jaroszewicz, B.
Kociubiński, A.
Kucewicz, W.
Kucharski, K.
Marczewski, J.
Niemiec, H.
Sapor, M.
Tomaszewski, D.
Tematy:: SOI CMOS technology
pixel detector
test structure; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-8 z 8

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Prześlij opinię

Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.