- Tytuł:
- Closed-form 2D modeling of sub-100 nm MOSFETs in the subthreshold regime
- Autorzy:
-
Osthaug, J.
Fjeldly, T.A.
Iniguez, B. - Tematy:
-
sub-100 nm MOSFET
two-dimensional device modeling
conformal mapping
threshold voltage
subthreshold regime
leakage current - Pokaż więcej
- Data publikacji:
- 2004
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł