On the Symmetry of the Sulfur Pair-Related Defect in Silicon

Tytuł:: On the Symmetry of the Sulfur Pair-Related Defect in Silicon
Autorzy:: Bennebroek, M. T.
Zakrzewski, A.
Frens, A. M.
Schmidt, J.
Tematy:: 76.30.Lh
71.55.Ht
Data publikacji:: 1993-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 725-728
0587-4246
1898-794X
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

A sulfur-related-pair defect in silicon has been studied with optically detected magnetic resonance spectroscopy. Measurement of the angular dependence of the optically detected magnetic resonance signals supplemented by the analysis of the spectrum "quality" yield to the conclusion that the point group symmetry of the defect studied is C$\text{}_{1h}$.

ŚREDNIA OCEN

0,0 / 5

LICZBA OCEN:0

Informacja

On the Symmetry of the Sulfur Pair-Related Defect in Silicon