Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Composition and structure of Czochralski silicon implanted with H2+ and annealed under enhanced hydrostatic pressure

Tytuł:: Composition and structure of Czochralski silicon implanted with H2+ and annealed under enhanced hydrostatic pressure
Autorzy:: Kulik, M.
Współwytwórcy:: Bak-Misiuk, J.
Wieteska, K.
Kobzev, A. P.
Wierzchowski, W.
Misiuk, A.
Data publikacji:: 2010
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-f/
Publikacja udostępniona za zgodą wydawcy. Całość ani żadna z jej części nie może być przetwarzana ani wykorzystywana w celach komercyjnych
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Materiały konferencyjne: "The 8th National Meeting of Synchrotron Radiation Users", Podlesice.

ŚREDNIA OCEN

0,0 / 5

LICZBA OCEN:0

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Prześlij opinię

Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.

Formularz

Informacja

Composition and structure of Czochralski silicon implanted with H2+ and annealed under enhanced hydrostatic pressure