- Tytuł:
-
Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge
Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds - Autorzy:
-
Dumiszewska, E.
Knyps, P.
Teodorczyk, M.
Wesołowski, M.
Strupiński, W. - Tematy:
-
ogniwo słoneczne
MOCVD
złącze InGaP/ Ge
solar cells
InGaP/Ge junction - Data publikacji:
- 2011
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
- Język:
- polski
- Prawa:
- Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
- Źródło:
-
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 3, 3; 10-14
0209-0058 - Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
- Artykuł